Bu kilometre taşına ulaşmak, Intel’in 300 mm silikon tabakalarını kullanarak 2007’de yongalar üretmeye başlayacağını ve her iki yılda bir yeni bir işlemci kuşağı çıkararak, Moore Yasası’nın sınırlarını zorlamaya odaklanmaya devam ettiğini gösteriyor.
Intel bugün, Arizona ve Oregon’daki 65nm yongaları üreten iki fabrikasında 65 nm proses teknolojisi ile seri yarı iletken üretiminde pazar lideri konumunda olmakla birlikte, yakında İrlanda ve Oregon’da iki fabrika daha açacak.
Intel Başkan Yardımcısı ve Intel Teknoloji ve Üretim Grubu Genel Müdürü Bill Holt, “65nm proses teknolojisi ile yüksek hacimli üretimde ve çalışan bir 45nm yonga üretmede ilk olmak, Intel’in yonga teknolojisi ve üretimindeki liderlik konumunu gösteriyor. Intel, teknoloji sıçramalarını insanların değerlendirebileceği somut kazançlara dönüştürme konusunda uzun bir tarihe sahiptir. 45nm teknolojimiz, kullanıcı deneyimini daha da iyileştiren, watt başına performansı daha geliştirilmiş bilgisayarlar sunma konusunda bir temel oluşturacaktır” dedi.
Intel’in 45nm proses teknolojisi, yongaların, bugün üretilenlere göre beş kat daha az enerji ile çalışmalarını sağlayacak. Bu, mobil cihazlar için pil ömrünü uzatacak ve daha küçük, daha güçlü platformlar üretmek için fırsat yaratacak.
45nm SRAM yongasında, 1 milyardan fazla transistör bulunuyor. Bir Intel ürünü olması amaçlanmasa da SRAM, 45nm üretim prosesini kullanan işlemci ve diğer lojik yongaların sayıca artmasını sağlamaktan öte, teknoloji performansını, proses verimliliğini ve yonganın güvenilirliğini ispatlıyor. Bu, dünyanın en karmaşık cihazlarının yüksek hacimli üretimine doğru atılmış önemli bir ilk adım.
Intel, ilk 45nm geliştirme çalışmalarına başlanan yer olan Oregon’daki D1D fabrikasının üretim kapasitesine ek olarak, 45nm proses teknolojisini kullanarak yongalar üretmek için Arizona’daki Fab 32 ve İsrail’deki Fab 28 isimli iki yüksek hacimli üretim fabrikasının da inşaa edilmekte olduğunu duyurdu.
Kaynak : 