Merkezi Santa Clara Kaliforniya’da bulunan şirket ürettiği transistörlerdeki akım kaçaklarının onu yeni tranistörlerde değişiklik yapmaya ittiğini ve high-k olarak isimlendirilen yeni bir materyalden üretilmiş yüksek performanslı yeni transistörler geliştirmeye zorladığını belirtiyor
Transistörler, dijital dünyanın yapı taşlarıdır ve mikroskobik büyüklükteki silikon bazlı elektrik düğmeleri olarak tanımlanabilirler. Akım kapıları transistörü açıp kapar ve yalıtım kapısı ise yalıtım yoluyla elektrik akımının geçişini düzenler. Son otuz yıl boyunca silikon dioxid, anahtar transistörlerin üretiminde hammadde olarak kullanıldı çünkü bu maddenin üretimi kolaydı ve teknolojinin gelişilmesine bağlı olarak transistörlerin giderek küçülmesine olanak veriyordu.
Intel’in araştırmacıları transistörlerde bulunun kapıların üretiminde yeni maddelerin kullanılmasıyla beraber güç kaybına ve ısınmaya yol açan akım kaçaklarını önemli ölçüde azalacağını söylüyorlar. Intel’e öire yeni kullanılan high-k maddesi akım kaçaklarına karşı son 30 yıldır kullanılan silikon dioxite göre 100 kat daha etkili.
Intel bu yeni teknolojiyi transistörlerin boyutlarını küçültmek amacıyla güçlendirilmiş silikon ve üç kapılı transistörler gibi yeni uygulamalarla birlikte kullanacağını söylüyor.
Intel’de kıdemli başkan yardımcısı ile Teknoloji ve Üretim Grubu Genel Müdürlüğü görevlerini yürüten Sunlin Chou katıldığı basın açıklamasında şunları söyledi:” Bu yeni hammadde bir tarihsel ilerleme sürecini devam ettirme şansı veriyor. Böyle bir imkan elimizde olmasa ilerleme belirli bir noktada yavaşlar ve hatta dururdu. Oysa bu son gelişme gösterdi ki artık uzun zamandır kullandığımız silikon dioxid’e bağımlı değiliz. Değişimin mümkün olduğunu bir kez gösterdiğinizde değişimin imkansızlığına dair o ana dek mevcut olan inancı yıkarsınız.”
Chou yeni keşiflerin üretim sürecine katılabileceğini ve transistörler konusunda kaydedilen aşamanın bunun bir örneği olduğunu söylüyor. Intel yeni materyaller kullanılarak üretilen transistörlerin şirketin 45 nanometrelik tranisistörleri olarak 2007 yılından itibaren işlemcilerde kullanılabileceğini açıkladı.
Intel daha hızlı ve daha küçük işlemciler yapma amacı doğrultusunda 1.2 nanometre kalınlığında, ki bu yalnızca 5 atom katmanına eşit, silikon dioxit transistör kapıları geliştirdi. Araştırmacılara göre buradaki sorun kullanılan silikon dioxitin boyutu küçüldükçe daha fazla akım kaybına ve buna bağlı olarak ısınmaya yol açması. Bu sorunu çözmek ve elektron akışını düzenleyebilmek için İntel bundan sonra transistölerde daha dayanıklı yeni high-k maddesinden üretilen akım kapıları kullanacak.
Şirket çözümün ikinci aşamasının metal kapıların kullanılması olduğunu söylese de hangi metalin kullanılacağına açıklık getirmiyor. Kullanılacak yeni madde high-k’den yapılanlardan farklı olarak bugün üretilen akım kapılarıyla rekabet edebilecek nitelikte olmalı. Intel high- materyalinin ve metalin birlikte kullanılmasıyla kaçakların önemli ölçüde azaltılabileceğini ve buna bağlı olarak performansın yükseltilebileceğini söylüyor.
Intel’in bu yeni transistör hammaddelerine ilişkin ayrıntılı açıklamayı Tokyo’da düzenlenen 2003 Uluslararası Akım Yalıtımı toplantısında yapması bekleniyor.
Kaynak : 