Çin, Fudan Üniversitesi’ndeki araştırmacılar tarafından geliştirilen dünyanın en hızlı flash bellek cihazı olan Poxiao’yu (“Dawn”) resmen tanıttı. Veri depolama teknolojisindeki bu atılım, yarı iletken endüstrisinde devrim yaratmaya ve yapay zeka (AI) hesaplamasındaki ilerlemeleri hızlandırmaya hazır.
Poxiao, ultra hızlı performansa sahip. Poxiao, verileri yalnızca 400 pikosaniyede (saniyenin bir trilyonda biri) silebilir ve yeniden yazabilir; bu da onu geleneksel flaş bellekten 100.000 kat daha hızlı hale getirir. Cihaz bir pirinç tanesinden daha küçük olmasına rağmen, tipik olarak 1-10 nanosaniye aralığında çalışan SRAM ve DRAM gibi mevcut uçucu bellek teknolojilerinin hızını geride bırakıyor.
Yeni bir “2D-geliştirilmiş sıcak taşıyıcı enjeksiyon” yöntemi kullanan Poxiao, elektronların geleneksel “ısınma” aşaması olmadan düşük hızdan yüksek hıza anında geçiş yapmasını sağlayarak önceki hız sınırlamalarını etkili bir şekilde ortadan kaldırıyor.
Bellek ve işlem hızları arasındaki boşluğu kapatarak Poxiao, yapay zeka performansını artırabilir ve daha hızlı veri erişimi ve işlemesi sağlayabilir. Uçucu olmayan bir bellek olan Poxiao, verileri güç olmadan tutuyor ve geleneksel uçucu bellek sistemlerine göre enerji tasarrufu sağlıyor. Teknoloji, kişisel bilgisayarlardaki hiyerarşik depolama sistemlerinin ortadan kaldırılmasına yol açarak daha akıcı ve verimli tasarımlara olanak tanıyabilir.
Mevcut prototip yalnızca kilobaytlarca veri tutarken, araştırmacılar teknolojiyi beş yıl içinde onlarca megabayta çıkarmayı ve ticari lisanslamaya hazırlamayı hedefliyor. Bu gelişme, yapay zeka, veri merkezleri ve tüketici elektroniği dahil olmak üzere çeşitli endüstrileri önemli ölçüde etkileyebilir. Poxiao’nun, bellek teknolojisinde ileriye doğru atılmış devasa bir adımı temsil ediyor.
Kaynak : 