IBM’in geliştirdiği “gerdirilmiş silikon” teknolojisiyle, işlemci hızları % 35 oranında artırılacak. İşlemcileri yeni bir hız düzeyine taşıyan IBM, böylece Moore Yasası’nı yeniden yazıyor.
IBM, işlemci hızını %35 oranında artıran “gerdirilmiş silikon” adında yeni bir teknoloji geliştirdiğini duyurdu. Silikonun gerdirilerek kullanılmasını sağlayan bu teknoloji sayesinde elektronların transistörler arasında akışı hızlanıyor, böylece işlemcinin performansı artarken, güç tüketimi azalıyor. Yeni teknoloji, IBM’in son dört yıl içinde yarı iletken teknolojisi alanında duyurduğu beşinci önemli yenilik. Yeni teknoloji 2003 yılından itibaren IBM ürünlerinde görülecek.
Yeni teknoloji, bileşiklerdeki atomların birbirleriyle bloklanma konusundaki doğal eğilimlerinin avantajlarından yararlanıyor. Gerdirilmiş silikonda, elektronlar daha az direnç gösterdikleri için akış yüzde 70 oranında hızlanıyor, bu da transistörlerin boyutları küçültülmeden bile işlemcilerin yüzde 35 oranında hızlanmasını sağlıyor.
IBM Araştırma Bilim ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı Randy Isaac, “Endüstrinin büyük bir kısmı, bizim sınırlarını zorladığımız işlemci performansını artırmak için uğraşıyor. İşlemci maddesini, cihazların yapısını ve tasarımını iyileştirmek için yeni yollar keşfederek bu konuda yenilikçi bir yaklaşım deniyoruz. Araştırma ve geliştirme konusundaki yaklaşımımız gerdirilmiş silikon teknolojisinin geliştirilmesini sağladı” dedi.
IBM Microelectronics Yarı İletken Geliştirmeden Sorumlu Başkan Yardımcısı Bijan Davari, “Gerdirilmiş silikon teknolojisinin, bakır işlemci, ‘silicon-on-insulator’, silikon germanyum ve ‘low-K’ materyaller gibi önceden geliştirdiğimiz teknolojilerle birlikte kullanılması, yarı iletken teknolojileri alanında endüstrinin geri kalanıyla aramızdaki bir – iki yıllık farkı korumamızı sağlayacak” dedi.
Yarı iletken teknolojisindeki gelişmeler geleneksel anlamda, ölçeklenme olarak adlandırılan ve transistörlerin minyatürizasyonuyla bir işlemci üzerindeki transistör sayısının her 18 ayda bir iki misline çıkacağını ön gören Moore Yasası ile tanımlanıyor. Transistörlerdeki küçülmenin atomik düzeye ulaşması, basit anlamda ölçeklenmenin tamamlanması anlamına geliyor.
IBM, gerdirilmiş silikon teknolojisinin ayrıntılarını, 13 Haziran 2001 tarihinde Japonya’nın Kyoto kentinde düzenlenen VLSI Teknolojileri Sempozyumu’nda iki ayrı rapor halinde tanıttı. İlk rapor, gerdirilmiş silikonun mevcut üretim dizileri üzerinde minimum etkiyle mevcut standart yarı iletken prosesleri ile başarılı bir biçimde uyarlanması üzerineydi.
İkinci raporda ise, gerdirilmiş silikonun IBM’in ‘silicon-on-insulator’ teknolojisi ile entegre edilebildiği ve iki teknolojinin kombine edilmesinin performansın daha da artmasını sağlayacağı açıklandı.
Geçen dört yıl içinde IBM laboratuarlarında, IBM’i yarı iletken teknolojisi alanında liderliğe taşıyan, çok önemli bir dizi teknolojik icat gerçekleştirildi. 1997 yılında IBM mühendisleri, transistörler arasındaki bağlantıları alüminyum yerine bakır kullanarak iyileştirdi.
1998 yılında IBM, işlemcilerin daha hızlı çalışmasını sağlayan ‘silicon-on-insulator’ transistör teknolojisini geliştirdi. Aynı yıl IBM, iletişim ürünlerini hızlandıran silikon germanyumdan yapılan işlemcilerin kitlesel üretimine geçen ilk firma oldu. 2000 yılında IBM, bir işlemci üzerindeki milyonlarca bağımsız bakır devrenin kaplanmasını sağlayarak teller arasındaki elektriksel titreşimleri azaltan ve böylece işlemcinin performansını artırarak, güç sarfiyatını azaltan “low-K dielectric” materyalinin kullanıldığı yeni bir üretim tekniği geliştirdi.
Kaynak : 