Dünyanın en büyük bellek yongası üreticisi Samsung, 1 TB TLC 9. Nesil V-NAND flash yongalarının seri üretimine başlayan ilk marka olduğunu duyurdu. TLC, Üç Seviyeli Hücre anlamına gelir ve yeni çipler, 3 bitlik verileri tek bir hücrede depolayabiliyor. Genişletilmiş veri depolama kapasitesine sahip dünyanın en gelişmiş, 286 katmanlı NAND flash bellek yongalarının seri üretimi konusunda, Samsung Electronics Bellek İşi Flash Ürün ve Teknolojisi Başkanı SungHoi Hur şunları söyledi :
“Gelecekteki uygulamalarda atılımlar gerçekleştirecek olan sektörün ilk 9. nesil V-NAND’ını sunmaktan heyecan duyuyoruz. NAND flash çözümlerine yönelik gelişen ihtiyaçları karşılamak amacıyla Samsung, yeni nesil ürünümüz için hücre mimarisi ve operasyonel şemada sınırları zorladı. Samsung, en yeni V-NAND ürünümüz aracılığıyla, gelecek yapay zeka neslinin ihtiyaçlarını karşılayan yüksek performanslı, yüksek yoğunluklu katı hal sürücüsü (SSD) pazarına yönelik trendi belirlemeye devam edecek.”
Samsung, 1Tb 9. Nesil V-NAND flash çipleri için minimum kalıp kalınlığına sahip dünyanın en küçük hücre boyutunu geliştirmiş oldu. Önceki nesil çiplere kıyasla bit yoğunluğu 1,5 kat arttı. Hücrenin yüzey alanı da yapay kanal deliği giderme teknolojisiyle azaltıldı. Samsung, yeni teknolojisinin aynı zamanda ürün kalitesini ve güvenilirliğini de artırdığını söylüyor. Bu, hücre girişimini önleme ve hücre ömrünü uzatma teknolojileri kullanılarak yapıldı. Bu yeni çipler aynı zamanda çift yığınlı yapıda kullanılabilecek en yüksek tek birimli ürün oluyor.
Dokuzuncu nesil 3D NAND bellek, akıllı telefonların yanı sıra yapay zeka veri merkezlerinde de kullanılacak. Bu belleklerin ama müşterileri Google ve Apple gibi büyük ABD teknoloji şirketleri.
236 katman içeren sekizinci nesil 3D NAND ile karşılaştırıldığında en yeni bellek ürünü, bit yoğunluğunu %50 artırıyor. Samsung’un Toggle 5.1 adı verilen yeni nesil NAND flash arayüzünü kullanıyor. Veri giriş/çıkış hızlarını %33 artırarak 3,2 Gbps’ye kadar artırıyor. Samsung ayrıca yeni PCIe 5.0 arayüzü için destek ekledi. Samsung ayrıca yeni çipleriyle %10 daha yüksek güç verimliliğine de ulaştı.
Üretken yapay zekanın yaygınlaşması, makine öğrenimi ve işleme için gereken büyük miktarda veri nedeniyle daha büyük NAND bellek kapasitesine olan talebi artırdı. Çip üreticileri, bellek depolama elemanlarını dikey olarak istifleyerek daha fazla veri depolama kapasitesi eklemek için rekabet ediyor.
Bellek konusunda dünya lideri olan Güney Kore merkezli Samsung, 400’den fazla katmana sahip 10. nesil 3D NAND ürünü geliştirdiğini söyledi. İkinci sıradaki oyuncu SK Hynix, 238 katmanlı NAND belleğin seri üretimini yaptığını söyledi. Japonya’daki üçüncü sırada yer alan Kioxia Holdings 162 katmanlı NAND belleği seri üretiyor.
Kaynak : 